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IRF3710PBF IRF3710 TO-220 100V 57A N道沟MOS管场效应管 原装 型号:IRF3710PBF 包装:1000/盒 类别:分立半导体产品 产品族:晶体管 FET MOSEFT 单 系列:HECFET FET类型:N道沟 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 驱动电压:10V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On:23 毫欧 @ 28A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷:130nC @ 10V Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容:3130pF @ 25V 功率耗散:200W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装:TO-220AB