深圳市敏华光电技术有限公司
场效应管 SI4166DY-T1-GE3 型号:SI4166DY-T1-GE3 晶体管极性:N-Channel 汲极源极击穿电压:30V 闸源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:20.5A 电阻汲极源极RDS(导通):0.0045 Ohms 配置:Single Quad Drain Triple Source 大工作温度:﹢150C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOIC-8 Narrow 下降时间:15ns 正向跨导gFS(大值/小值):65S 小工作温度:﹣55°C 功率耗散:3W 上升时间:19ns 工厂包装数量:2500PCS/盘 典型关闭延迟时间:35ns 零件号别名:SI4166DY-GE3 本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3 郑重承诺:保证原装正品,假一赔十!