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供应场效应管 SI4166DY-T1-GE3

产品价格3.00元/对比
销量 暂无
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发货 广东省付款后24小时内
库存 100起订1
过期 长期有效
更新 2019-01-24 08:11

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商品信息

基本参数

品牌:

未填

所在地:

广东省

起订:

≥1

供货总量:

100

有效期至:

长期有效
详细说明


深圳市敏华光电技术有限公司

场效应管 SI4166DY-T1-GE3 型号:SI4166DY-T1-GE3 晶体管极性:N-Channel 汲极源极击穿电压:30V 闸源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:20.5A 电阻汲极源极RDS(导通):0.0045 Ohms 配置:Single Quad Drain Triple Source 大工作温度:﹢150C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOIC-8 Narrow 下降时间:15ns 正向跨导gFS(大值/小值):65S 小工作温度:﹣55°C 功率耗散:3W 上升时间:19ns 工厂包装数量:2500PCS/盘 典型关闭延迟时间:35ns 零件号别名:SI4166DY-GE3 本公司长期供应 SI4166DY-T1-GE3 郑重承诺:保证原装正品,假一赔十!

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