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场效应晶体管：英文名称为Field Effect Transistor，缩写为FET，简称场效应管。 各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。 场效应晶体管具有如下特点： （1）输入阻抗高； （2）输入功耗小； （3）温度稳定性好； （4）信号放大稳定性好，信号失真小； （5）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低 IXFX32N80P IXTH11P50 IXFX27N80Q IXFN80N50Q2 IXFB100N50P IXFN38N100Q2 IXFN140N30P IXTH50P10 IXFN50N80Q2 IXFN36N100 IXFN24N100 IXFH32N50QVUO190-16NO7 VUO160-16NO7 VHFD16-08io1 VUO122-16NO7 VUB120-16NO2 VUO110-16NO7 VUO82-16N07 VUO52-16NO1 VUO50-12NO3 VVZ40-16io1 VVZ24-12io1 VHF36-16io5 VGO36-16io7 VUO36-16NO8 VHF28-16Io5 VHF28-14io5 VBO20-16AO2 VBO13-16AO2
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